東京PRについて...
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SiGeセミコンダクタ | 佐藤グループ | SABICイノベーティブプラスチックス | Songwon | 日精樹脂工業 | ビクトレックス | フェアチャイルド セミコンダクター | ユーシン精機 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Home > フェアチャイルド セミコンダクター > MicroFET |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
携帯機器に最適な超小型MicroFET™ MOSFET
高性能で薄型1.6mm x 1.6mmパッケージのMOSFET製品 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2010年5月7日フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都渋谷区、社長:伊藤靖彦)は、 携帯機器で求められる、小型、薄型かつ高い効率を実現するソリューションとして、 非常にコンパクトで薄型パッケージ(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)で提供される、高性能な MicroFET™ MOSFETを発表しました。 フェアチャイルドの豊富な製品群により、アプリケーションや設計ニーズに合わせて、 最適なMicroFET MOSFETをご提供できます。この製品群は、Pch+ショットキーやNch+ショットキー、 シングル/デュアルNch、Pch、そしてコンプリメンタリ・デュアル等、各種回路構成にて使用される 製品で構成されています。 これらのMicroFET MOSFETは、フェアチャイルドの先進的なPowerTrench® MOSFETプロセス テクノロジーによって設計されています。このプロセスは、非常に低いオン抵抗、 トータルゲートチャージ(QG)、ミラーチャージ(QGD)であり、その結果、優れた導電性やスイッチング性能、 熱効率を達成することが可能です。またMicroFETパッケージは、従来のMOSFETパッケージと比べて、 極めて高い放熱特性を有しています。 フェアチャイルドには、高い放熱効率と小型薄型パッケージの、1.6mm x 1.6mm角と2mm x 2mm 角MicroFET製品において、非常に豊富な製品群を持っております。これらのMOSFETは、使いやすく、 高パフォーマンス、省スペースなので携帯機器に最適です。
製品・会社情報について(ポッドキャスト/ブログ): |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
フェアチャイルドセミコンダクターについて: フェアチャイルドセミコンダクター社(NYSE:FCS)には、グローバルな展開、ローカルでのサポート、 そしてスマートなアイディアがあります。フェアチャイルドは、パワー及びモバイル機器に向けた、 エネルギー効率・使いやすさ・付加価値の優れた半導体ソリューションを提供いたします。 お客様の製品における差別化や技術的なチャレンジに対して、パワー製品及びシグナルパス製品の専門知識を 通じてサポートいたします。詳しくはwww.fairchildsemi.com/jp をご覧下さい。 |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
お問い合せ: フェアチャイルドセミコンダクタージャパン |
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
© 2010 Tokyo PR Inc. |