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30V、Power56パッケージMOSFETで
オン抵抗1mΩ以下を実現

FDMS7650
1mΩ以下の30V MOSFET「FDMS7650」
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2009年9月17日

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社(本社:東京都千代田区、社長:伊藤靖彦)は、サーバー、ブレードサーバー、及び ルーター等のアプリケーションに最適な、1mΩ以下の30V MOSFETを、初めてPower 56パッケージで実現しました。「FDMS7650」は、 ロードスイッチやORリング回路に最適です。サーバーアプリケーションでは、負荷を分担するために複数の電源を並列に設置している場合に、 このようなORリングFETが使用されます。この回路では、FETは常にオンしているため、伝導損失を抑え高い効率で電力を供給することが、 サーバーシステム全体の効率向上に大きく影響します。FDMS7650は、Power56パッケージで始めて最大オン抵抗が1mΩ以下を実現 (Rds(on)MAX = 0.99mΩ)し、伝導損失を抑え、システム全体の高効率化に貢献します。この製品によって、全体のオン抵抗を 同じにするために必要なFETの数は半分で済みます。単純な例として、通常用いられているMOSFET(Rds(on)MAX = 2mΩ)の場合、 倍の数量のFETが必要です。

フェアチャイルドの最新のPowerTrench® MOSFETテクノロジーにより、FDMS7650はこの画期的なオン抵抗を実現しました。この テクノロジーによって、低オン抵抗、低ゲートチャージ、低ミラーチャージを実現し、伝導損失とスイッチング損失を低減させることにより、 システム全体の効率を向上させることが可能です。

このパワーMOSFETは、フェアチャイルドの電源向けMOSFETの充実したラインナップの一つです。フェアチャイルドの30VデュアルNチャンネル MOSFET、FDMC8200やFDMS9600が良い例です。「FDMC8200」はハイサイドで24mΩ、ローサイドで9.5mΩのオン抵抗を有するPower33 デュアルMOSFETで、DC-DCアプリケーションの効率を改善します。また、「FDMS9600」は同期整流用に最適化されたハイサイドMOSFET (低スイッチング損失)とローサイドMOSFET(低伝導損失)で構成されています。

価格: US$ 0.95 (1,000個購入時)

製品の各種資料はこちらをご覧ください。

データシート:
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMS7650.html

製品・会社情報について(ビデオ):
http://www.fairchildsemi.com/video/index.html

製品情報について(ポッドキャスト):
http://fairchildsemi.com/podcast/index.html

ブログ:
http://engineeringconnections.com/blog/


フェアチャイルドセミコンダクターについて:

フェアチャイルドセミコンダクター社(NYSE: FCS)は、電力効率の高いパワーアナログおよびパワーディスクリート・ソリューションを ご提供しているグローバルリーダーカンパニーです。フェアチャイルドの最先端のシリコンおよびパッケージ技術、生産体制、そしてコンシューマ、 コミュニケーション、インダストリ、ポータブル機器、コンピューティング、車載などの各システム向けの専門知識は、The Power Franchise® として業界で認識されています。アプリケーションやソリューションベースの半導体サプライヤーであるフェアチャイルドは、総合的なGlobal Power ResourceSMの一環として、オンライン・デザイン・ツールや世界各地の デザインセンターを通してお客様をサポートしています。


お問い合せ:

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン
〒102-0076 東京都千代田区五番町12-1 番町会館6F
TEL. 03-5275-8380(代表)
FAX. 03-5275-8390


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