高効率の昇圧回路を可能にするブーストスィッチ「FDFME3N311ZT」
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2009年10月2日

フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（本社：東京都千代田区、社長：伊藤靖彦）は、携帯電話や各種ポータブル機器、民生機器 に適した、高効率の昇圧回路を可能にするブーストスィッチを発表しました。「FDFME3N311ZT」は、30VのN-Channel PowerTrench® MOSFETと ショットキーダイオードを1つのパッケージに統合したもので、非常に小さい入力容量（55pF）と総ゲートチャージ（1nC）によって、昇圧回路の 効率を大きく改善します。FDFME3N311ZTは、フェアチャイルド独自のPowerTrenchプロセス技術を用い、動特性を最適化しているため、 スイッチング損失を低減することが可能です。また、ショットキーダイオードには低リーク電流のものを採用しており、効率の悪化を招く パッケージ温度の上昇を抑えています。FDFME3N311ZTは2個のディスクリート製品が小型（1.6mm x 1.6mm）で薄型（0.55mm）のMicroFET™ パッケージに統合され、従来の製品よりも36%小さくなっているので、省スペース設計の昇圧回路に最適です。

フェアチャイルドセミコンダクターについて：

フェアチャイルドセミコンダクター社（NYSE: FCS）は、電力効率の高いパワーアナログおよびパワーディスクリート・ソリューションを ご提供しているグローバルリーダーカンパニーです。フェアチャイルドの最先端のシリコンおよびパッケージ技術、生産体制、そしてコンシューマ、 コミュニケーション、インダストリ、ポータブル機器、コンピューティング、車載などの各システム向けの専門知識は、The Power Franchise® として業界で認識されています。アプリケーションやソリューションベースの半導体サプライヤーであるフェアチャイルドは、総合的なGlobal Power Resource^SMの一環として、オンライン･デザイン・ツールや世界各地の デザインセンターを通してお客様をサポートしています。

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