4個の60V MOSFETをシングルパッケージに収め、システム効率を改善、ダイオードブリッジからの置き換えで、省スペース及びコンパクト設計を実現
2013年5月7日 -高解像度ネットワークカメラなどアクティブブリッジを利用したアプリケーションで発生する過大な熱は画質の問題を引き起こす可能性があります。同様に熱により誘発されたノイズはシステムのイメージセンサーに影響を及ぼし、カメラの画質を悪化させることも考えられます。熱による温度上昇を制御するために用いられる代表的なヒートシンク・ソリューションはこれらの複雑な設計を、コンポーネントの追加及び煩雑化したボードスペースが加わることで、更に複雑にすることもあり得ます。このように解決すべき重要課題に取り組む設計者を援助するため、フェアチャイルドセミコンダクタージャパン株式会社（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は4個のMOSFETをワンパッケージに収めたFDMQ86530L 60V quad-MOSFETを発表しました。
フェアチャイルドのGreenBridge™ テクノロジーを採用することで、4個の60V N_チャネルMOSFETで構成されるFDMQ86530Lソリューションは、従来のダイオードブリッジによる導通損失および効率を改善し、許容損失に関しては10倍もの改良を実現します。デバイスは放熱効果を強化した省スペースパッケージ、4.5 x 5.0mm 12ピンMLP、で提供され、ヒートシンクを必要とせず、12Vおよび24V ACアプリケーションにおいて電力変換効率が向上するコンパクト設計を可能にします。
仕様：
- RDS(ON) = 17.5 mΩ 最大 @VGS = 10V, ID = 8A
- RDS(ON) = 23 mΩ 最大 @VGS = 6V, ID = 7A
- RDS(ON) = 25 mΩ 最大 @VGS = 4.5V, ID = 6.5A
パッケージ&価格情報（1000個購入時）
サンプル供給中 － 納期 受注後8-12週
- FDMQ86530Lは12ピンMLPパッケージ(4.5 x 5.0mm)で提供され、価格は1.38ドルです。
フェアチャイルドの幅広いディスクリートMOSFETポートフォリオの一部として、FDMQ86530Lを提供することは今日の最先端システムにおいて最小サイズで最大の放熱特性および効率を実現する革新的なパッケージ技術を実現するというフェアチャイルドの方針を更に確固としたものにします。
製品の各資料はこちらをご参照ください。
データシート：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMQ86530L.pdf