優れたシリコン技術により性能指数を低減し
同期整流アプリケーションで信頼性の向上に寄与する中電圧MOSFET
2012年8月20日 – サーバー、通信機器、及びAC-DCなどの電源設計に携わるエンジニアにとって、電力密度および軽負荷時の電力効率改善は重要な課題です。さらにこれらスイッチング電源を同期整流方式で設計する場合には小さな基板面積で高効率ならびに低電力損失を実現するコスト効果の優れた電源が要求されます。このような電源設計の課題と取り組む設計者を支援するためフェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）はパワートレンチ(PowerTrench®)MOSFETファミリーの強化を発表しました。
これらの製品はフェアチャイルド中電圧パワーMOSFETポートフォリオの一環であり、ゲートチャージ（QG）および逆回復電荷（Qrr）がいずれも低く、更にソフトリカバリー特性を持つ逆回復ボディダイオードと一体となり高速スイッチングを可能にしています。定格電圧40V、60V、80Vのデバイスを揃え、ソフトリカバリー特性となるように最適化されたボディダイオードにより、スパイクの大きさは競合他社製品に比べ15%減少し、スナバ回路での電力損失が低減します。
シールデッド・ゲート・シリコン・テクノロジー採用でデバイス内のチャージバランスが改善されリンギングの減少、高い電力密度、および軽負荷時での高効率を実現します。この技術によりデバイスの性能指数（QG x RDS(ON)）が低減すると同時に、駆動損失が抑えられ電力効率が改善します。最初にリリースされるデバイスはPower56パッケージによる定格40VのFDMS015N04Bと80VのFDMS039N08B、また、3リードTO-220パッケージによる定格60VのFDP020N06B及び80VのFDP027N08Bになります。
特長と利点
- システムサイズに対し最大の放熱特性を実現する小型パッケージサイズ（Power56および3リードTO-220パッケージ）
- ゲートドライブ駆動損失を低減する低ゲートチャージQG
- 不要なターンオンを防ぎシステム信頼度の向上に寄与する低QGD/QGS比
- ゲートドライブ駆動損失を低減し高速スイッチング動作を可能にする低ダイナミック寄生容量
- 100% UILテスト実施
- RoHS認定
これらのパワートレンチMOSFET新製品は今日の電子機器に要求される電気特性及び熱特性双方を満たすことで高い省エネ効果の実現に寄与するパワートレンチ・テクノロジー・ポートフォリオの一部であり、これらの製品が加わることで、フェアチャイルドが提供する中電圧MOSFET製品は一層強化されることになります。
価格：
FDMS015N04B: 1.78ドル（1,000個購入時）
FDMS039N08B: 1.60ドル（1,000個購入時）
FDP020N06B: 4.50ドル（1,000個購入時）
FDP027N08B: 3.30ドル（1,000個購入時）
入手性：
サンプル出荷中
量産納期：
8-12週間
製品の各種資料はこちらをご参照ください。
データシート
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS015N04B.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS039N08B.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP020N06B.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDP027N08B.pdf