市場に流通する5mm x 6mm デュアルMOSFETソリューションの中で
最も高い出力電流供給能力を持つモジュール
2011年6月23日 – 電源設計エンジニアにとって、占有スペースの削減と、電力密度の向上は二つの主要課題であり、特に、ノートPC、ポイントオブロード、サーバ、ゲーム機器、そして通信機器用アプリケーションでは重要になります。高性能パワー半導体とモバイル向け半導体製品で世界をリードするフェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は、この要求に応えるため、パワーステージ非対称型デュアルMOSFETモジュール製品である「FDMS36xxS」ファミリーを発表しました。
FDMS36xxSファミリーはコントロールMOSFET（ハイサイド）及びシンクロナスMOSFET（ローサイド）に加え、モノリシック・ショットキー・ボディダイオードをPQFNパッケージに統合した製品です。スイッチ・ノードは内部で接続されているため、同期整流降圧DC-DCコンバータを構成する際の部品配置及び配線が簡素化されます。コントロールMOSFET（Q1）と、シンクロナスMOSFET（SyncFET™）は、最適の電力効率で30Aまでの出力電流が得られるように設計されています。FDMS36xxSファミリーはこれらのデバイスをモジュールに統合したことにより、二個、或いはそれ以上の5mm x 6mm PQFN、SO8、またはDPAKパッケージを使用する必要がなくなり、ボード・スペースの削減に貢献します。
FDMS36xxSファミリーはフェアチャイルドのアドバンス・チャージバランスト・デバイス・アーキテクチャ（シールデッド・ゲート・テクノロジ）と、先進のパッケージ技術を採用し、ハイパフォーマンスコンピューティング向けに最適化された定格電圧の採用によって、ローサイド側で業界トップとなる2mmΩ以下のRDS(ON)を実現しています。この製品ファミリーは、スイッチング周波数300kHzから600KHzの範囲で導通損失及びスイッチング損失双方の組み合わせが最小になるように最適化されており、ポイントオブロード或いはマルチフェーズ同期整流降圧DC-DCコンバータ・アプリケーションにおいて、信頼性のある高電力効率を提供します。
パワーステージ非対称型デュアルMOSFETは、シールド電位を変化させる独自のデバイス・アーキテクチャと、極めて低いソース・インダクタンスを提供するパッケージ・デザインを使用することで低ノイズスイッチング動作を実現しており、その結果、デザインのバラツキを抑え、信頼性の向上に寄与します。低ノイズスイッチングは外部スナバ回路、或いはゲート抵抗などのノイズ軽減措置を必要とせず、部品コストと基板スペースの削減に貢献します。
FDMS36xxSファミリーには、現在FDMS3602SとFDMS3604ASのPowerTrench®パワーステージ非対称型デュアルMOSFET製品があります。今後、市場調査及びお客さまからのリクエストをもとに、新たな製品をファミリーに追加する予定です。また、FDMS36xxSファミリーはRoHS規制に準拠しています。
パワーステージ非対称型デュアルMOSFETモジュールは、パワー設計者が効率の高い情報処理デザインを達成する上で不可欠な幅広いソリューションを提供するフェアチャイルドの高性能MOSFETテクノロジ・ポートフォリオの一部です。パワーステージに関する最新の情報はwww.fairchildsemi.com/powerstage.をご覧ください。
価格：
FDMS3602S 1.86ドル（1,000個購入時）
FDMS3604AS 1.62ドル（1,000個購入時）
入手性：
サンプル出荷中
量産納期：
8-10週間
製品の各種資料はこちらをご参照ください。
データシート：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS3602S.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS3604AS.pdf