FSJ_LED_FLS0116_3217_3247_Aug2012

フェアチャイルドセミコンダクター、 基板占有面積の削減と設計時間の短縮に寄与する MOSFET内蔵の小電力用LEDドライバー新製品を発表

LEDドライバー製品の拡充により、 システム信頼性の向上、LED性能の改善を実現 2012年8月1日 – LED照明市場の成長が伸びを続けるのに伴い、設計者は、世界のエネルギー規制に準拠する一方、限られた基板
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フェアチャイルドセミコンダクター、ポータブル・イノベート2012に出展 ユーザー体験の向上に向けモバイルデザインにフォーカス

2012年7月13日 – 高性能パワー半導体とモバイル向け半導体製品で世界をリードするフェアチャイルドセミコンダクター(NYSE: FCS)は先進のプロセスとパッケージ技術を用いて充実したパワー、アナログ、お
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フェアチャイルドセミコンダクター、安全性と信頼性を強化し システムデザインの簡素化を実現する回路保護デバイスの製品構想を発表

ポータブル電子機器に向け新しく製品ラインを拡充し、徹底した回路保護ソリューションを提供 2012年7月3日 – 消費者の電子機器に依存する度合いが増加し、メーカーが製品の機能を充実させる中、プラグの誤挿入のよ
FSJ_FSL206MRx__Jun2012

フェアチャイルドセミコンダクター、保護回路を集積し スイッチモード電源の信頼性向上・省スペース化を実現する FPS™グリーンモード・パワースイッチを発表

バイアス用補助巻線不要でデザインの簡素化に寄与するFSL206MRxシリーズ 2012年6月21日 – スイッチモード電源(SMPS)の設計者は高効率と高信頼性に加え最適化されたシステム性能を備えた省スペース
FSJ_EcoSpark_Jun2012

フェアチャイルドセミコンダクター、 イグニッションコイルドライバ用に 電力損失の低減と特性向上を実現した EcoSPARK2イグニッションIGBTを発表

動作温度の低減と必要なヒートシンク容量の縮小を実現 2012年6月11日 – 現行そして新規のイグニッションシステムにおいて、低燃費かつ低排出量という厳しい要求を満たす為、オートモーティブの設計者はより特性の
FSJ_FOD8320_Jun2012

フェアチャイルドセミコンダクター、 高絶縁電圧・高ノイズ耐性を実現する ゲートドライブ・オプトカプラを発表

5ピン・ワイドボディSOPパッケージ採用により、沿面距離および空間距離を増大し小型化を実現 2012年6月1日 – ソーラーインバータ、無停電電源装置(UPS)、モータドライバ等の大電力仕様の産業用アプリケー
FSJ_ResetTimers_May2012

フェアチャイルドセミコンダクター、モバイル機器に向け ロック/フリーズ状態からの復帰にシンプルなリセットソリューションを提供する 高性能リセットタイマーを発表

リセットタイマーにより ワンタッチでモバイル機器を再スタート 2012年5月29日 – 技術革新が進むに従い、消費者は生活する上でビジネス、プライベートを問わず携帯機器との関わりをより深めています。これらの機
FSJ_FDPC8011S_May2012

フェアチャイルドセミコンダクター、電源設計で 最高の電力密度と効率の実現に寄与する 3.3×3.3mm2パワークリップ非対称デュアルMOSFETを発表

パッケージ寄生パラメータを抑えることにより電力損失を削減、高周波動作で高効率を実現 2012年5月24日 – 高密度・組込み型DC-DC電源において機能の充実に伴いより大きな出力が要求されるに従って、電源回路
FSJ_FDZ66x_May2012

フェアチャイルドセミコンダクター、 モバイルアプリケーションで省スペース化を実現するWL-CSPパッケージ Pチャネル・パワートレンチMOSFETを発表

0.8mm x 0.8mm超薄型パッケージ技術採用により 基板スペースを削減し優れた放熱特性を実現 2012年5月21日 – モバイル機器設計者はそのエンド・アプリケーションから要求される省スペース化、効率の
FSJ_FDDS100H06_F085_May2012

フェアチャイルドセミコンダクター、 ディスクリートソリューションに代わり高信頼性を提供する オートモーティブ向けスマートハイサイドスイッチを発表

オートモーティブ・アプリケーションで 高信頼性と省スペースを実現するソリューション 2012年5月15日 – 今日のオートモーティブ・アプリケーションにおいて、設計者は接地された抵抗性または誘導性負荷に対し大
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パワーインテグレーションズ社に特許侵害の評決、 フェアチャイルドセミコンダクター、更に同社を特許侵害で提訴

2012年5月8日 – 高性能パワー半導体とモバイル向け半導体製品で世界をリードするフェアチャイルドセミコンダクター(NYSE:FCS)は、連邦地裁陪審員によってフェアチャイルドが所有するプライマリサイド・レ
FSJ_FDMC8010_Apr2012

フェアチャイルドセミコンダクター、 業界トップクラスの電力密度を実現し、基板スペース削減に寄与する 30V パワートレンチ® MOSFETを発表

3.3mm x 3.3mm PQFNパッケージで66%に達する省スペース化と、 高性能シリコン技術による超低オン抵抗を実現 2012年4月26日 – 電源設計に携わるエンジニアは省エネ基準及び製品システムから
FSJ_FGAxxN65SMD_Apr2012

フェアチャイルドセミコンダクター、 電力変換アプリケーションで効率の改善とシステム信頼性の強化を実現する

設計者の要求に応える高効率で効果的な電力変換を実現 2012年4月25日 – 太陽光発電パワーコンディショナー、無停電電源(UPS)、溶接機器などのアプリケーションに携わる設計者は、熱および温度を管理し最小の
FSJ_MicroDIP_Apr2012

フェアチャイルドセミコンダクター、 省スペースデザインに寄与する 携帯機器向け薄型MicroDIPブリッジダイオードを発表

部品点数の削減、基板レイアウトの簡素化を実現する 超小型表面実装パッケージ採用の製品ファミリ 2012年4月20日 – 携帯機器設計に携わるエンジニアは信頼性の向上、製造コストの削減を目指す一方、基板レイアウ
FSJ_FDMF68xx_Apr2012

フェアチャイルドセミコンダクター、効率および 電力密度の更なる向上と省スペースデザインを実現する 第三世代XS? DrMOSファミリを発表

厳しい省エネ基準にも対応する 60Aマルチチップモジュール 2012年4月17日 – 新たな省エネルギー基準は、ブレードサーバ、高機能ノートPC、ポイントオブロード(POL)モジュールなどに向けた新しいシステ