フェアチャイルドセミコンダクター、 モバイルワールドコングレス2013に出展、 ユーザー体験の向上にフォーカス
更なる使い易さの向上と使用時間の延長を実現するアナログ&パワーソリューション 2013年2月15日 – 高性能パワー&モバイル半導体ソリューションの世界的リーディングサプライヤーであるフェアチ
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フェアチャイルドセミコンダクター、大電力誘導過熱（IH）アプリケーションで 高い信頼性と優れたスイッチング特性を提供する Shorted-Anode IGBTを発表
全体のシステムコスト、基板面積、および電力損失の削減に寄与する高圧IGBT 2013年1月30日 – IH炊飯器、IHクッキングヒーター、及びインバーター制御の電子レンジなど大電力かつ高周波を利用するIH家電
フェアチャイルドセミコンダクター、高効率とシステムの高信頼性を 提供する2チップ1パッケージ パワースイッチ ソリューションを発表
豊富な保護機能を備え、設計の簡素化と信頼性向上を実現する高集積度フライバックコントローラ 2013年1月22日 – 今日の民生用電子機器および家電製品がより高機能になるのに伴い、それらの製品には更に高い性能と
フェアチャイルドセミコンダクター、 故障検出機能付き絶縁型ゲートドライバー スマートゲートドライブ・オプトカプラーを発表 産業用大電力インバーターおよび電源アプリケーションに向け 堅牢な保護機能と高効率を実現
2013年1月15日 – 太陽光発電用パワーコンディショナー、モータードライバー、無停電電源装置（UPS）などの産業用大電力アプリケーションでは、高性能で優れた保護機能を備えたゲートドライブ・オプトカプラーを
フェアチャイルドセミコンダクター、DC-DCパワーアプリケーションにおける 性能と電力密度を向上させるDual Cool™パッケージを発表
最適化されたミッドボルテージMOSFET、 接合部-周囲温度間の熱抵抗が1/4に低減 2013年1月8日 – DC-DCコンバーターアプリケーションに携わる設計者は電力密度を改善すると同時に熱抵抗の削減、省ス
フェアチャイルドセミコンダクター、AC-DC電源アプリケーションで 業界トップクラスの堅牢なボディダイオード特性を提供する高圧MOSFETを発表
高効率と高信頼性を提供すると同時に システムコスト及びボード面積の削減を実現するSuperFETR II MOSFET 2012年12月13日 – サーバー、通信機器、コンピューティング、そして産業機器等の電
フェアチャイルドセミコンダクター、AC-DCアプリケーションで デザインの柔軟性と効率の向上を実現する ハイサイド/ローサイド同期整流（SR）コントローラーを発表
内蔵グリーンモード機能により マルチチャンネル・フライバックコンバーターシステムの消費電力を削減、 エネルギー規制の目標達成に寄与 2012年12月11日 – 世界的にエネルギー規制が厳しくなる中、デスクトッ
フェアチャイルドセミコンダクター、電力変換システムで 業界トップの効率と更なる信頼性の向上を実現する シリコンカーバイド（SiC）ソリューションを発表
高温動作時に最小の電力損失を実現する SiCバイポーラ・ジャンクション・トランジスター（BJT）を新たに製品ポートフォリオに追加 2012年12月4日 – 産業機器およびパワーエレクトロニクス設計者は、高い電
フェアチャイルドセミコンダクター、大電力LEDアプリケーションに向け 電力損失を削減し、サブハーモニック（低調波）発振を抑制する バックライト用昇圧コントローラーを発表
調光用高圧MOSFETを内蔵し、高速調光、高効率および高信頼性を実現 2012年10月17日 – 大電力LEDアプリケーションに携わる設計者は、効率で劣る不連続モード（DCM）昇圧コンバーターに伴う電力損失と
フェアチャイルドセミコンダクター、 モータードライブ・アプリケーションで効率および信頼性を改善し、 短絡時の耐量時間を規定したIGBT新製品を発表
電力密度を向上し、厳しい省エネ基準を満たす600V IGBT 2012年10月12日– 高性能パワー半導体とモバイル向け半導体製品で世界をリードするフェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷
フェアチャイルドセミコンダクター、USBチャージャーの 要求定格を凌ぐ低待機時電力を実現する 高スイッチング周波数・一次側制御PWMコントローラーを発表
省スペースデザインと部品コスト削減を可能にする高性能デバイス 2012年9月6日 – 携帯機器向け電源アプリケーションの設計者は小型でシステム効率が高く低待機電力のUSBチャージャーを求めています。フェアチャ
フェアチャイルドセミコンダクター、 逆バイアスおよび過渡電圧から携帯機器を保護する アプリケーションに特化した逆極性保護スイッチ製品を発表
デザインの簡素化、省スペース、消費電力の低減を実現する 低オン抵抗・高速動作のシンプルなプラグアンドプレイ・ソリューション 2012年8月23日 – 電池の誤挿入、ホットプラグによる過渡的ストレス、コネクター
フェアチャイルドセミコンダクター、 スイッチング電源設計で、高い電力密度と高効率を提供する パワートレンチMOSFETファミリーを拡充
優れたシリコン技術により性能指数を低減し 同期整流アプリケーションで信頼性の向上に寄与する中電圧MOSFET 2012年8月20日 – サーバー、通信機器、及びAC-DCなどの電源設計に携わるエンジニアにとっ
フェアチャイルドセミコンダクター、携帯機器向けに バッテリー充電およびロードスイッチ機能の特性向上に寄与する 20V シングル P チャンネルPowerTrench® MOSFETを発表
2012年8月10日 – フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は携帯電話端末およびその他携帯機器アプリケーションでバッテリー充電およびロードスイッチ機能の特性改善に
フェアチャイルドセミコンダクター、 モバイルおよびコンシューマー・アプリケーション向けに 電力効率の向上と高性能保護機能を提供する ロードスイッチ製品を拡充
高電圧と低電圧ソリューションを提供するスマートロードスイッチ IntelliMAX™により 高性能なシステム電源と高い信頼性を実現 2012年8月6日 – スマートフォン、タブレット端末、デジタルカメラのよう