最適化されたミッドボルテージMOSFET、
接合部-周囲温度間の熱抵抗が1/4に低減
2013年1月8日 – DC-DCコンバーターアプリケーションに携わる設計者は電力密度を改善すると同時に熱抵抗の削減、省スペース化に取り組んでいます。フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は、これらの設計課題を支援する上で最適なDual Cool™ パッケージ技術を用いた新しいミッドボルテージPowerTrench® MOSFET製品を発表しました。
フェアチャイルドは、トップサイドに放熱面を持つ業界標準ピンアウトのDual Coolパッケージ・ポートフォリオに改善を加え、新たに40～100Vのミッドボルテージ製品シリーズの拡充をしました。Dual Coolテクノロジーとシリコン・テクノロジー双方の向上により優れたスイッチング特性が実現し、接合部-周囲温度間の熱抵抗は5mm x 6mm 標準的モールドMLPパッケージに比べ1/4に低減しています。
ミッドボルテージ・シリーズには、
40V FDMS8320LDC
60V FDMS86500DC
80V FDMS86300DC
そして100V FDMS86101DCのデバイスが加わり、これらのデバイスはDC-DCコンバーター、通信機用電源の二次側整流、そしてハイエンド・サーバー／ワークステーション等のアプリケーション向け同期整流用MOSFETとして最適です。
特長と利点
FDMS8320LDC（40V）
・ RDS(ON) = 1.1mΩ（最大）@VGS = 10V, ID = 44A
・ RDS(ON) = 1.5mΩ（最大）@VGS = 4.5V, ID = 37A
FDMS86500DC（60V）
・ RDS(ON) = 2.3mΩ（最大）@VGS = 10V, ID = 29A
・ RDS(ON) = 3.3mΩ（最大）@VGS = 8V, ID = 24A
FDMS86300DC（80V）
・ RDS(ON) = 3.1mΩ（最大）@VGS = 10V, ID = 24A
・ RDS(ON) = 4.0mΩ（最大）@VGS = 8V, ID = 21A
・ 業界最小RDS(ON)：同じ定格電圧の競合他社製品と比べ約35% 低い値
FDMS86101DC（100V）
・ RDS(ON) = 7.5mΩ（最大）@VGS = 10V, ID = 14.5A
・ RDS(ON) = 12mΩ（最大）@VGS = 6V, ID = 11.5A
パッケージ及び価格情報（1,000個購入時）
サンプル供給中 - 納期:受注後8-12 週
この製品ファミリーのすべてのデバイスは5 x 6mm 8ピンPQFNパッケージで提供され、価格は以下の通り。
・ FDMS8320LDC (40V)： 1.09ドル
・ FDMS86500DC (60V)： 1.16ドル
・ FDMS86300DC (80V)： 1.16ドル
・ FDMS86101DC (100V)： 1.09ドル
Dual Coolパッケージで提供されるデバイスの詳細な情報については、フェアチャイルド・ウェブサイト：www.fairchildsemi.com/dualcoolをご覧ください。
Dual CoolパッケージMOSFETは業界をリードするフェアチャイルドMOSFETポートフォリオの一部です。スペース上の制約が厳しいアプリケーションにおいて、より小型の高電流DC-DC電源に対する要求、そしてお客様や市場を理解し、フェアチャイルドは革新的な機能、プロセス、及びパッケージ技術を独自に組み合わせ、電子機器デザインで差別化できるソリューションを作り出すことを可能にしています。
製品の各種資料はこちらをご参照ください。
データシート
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS8320LDC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86500DC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86300DC.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMS86101DC.pdf