電力密度を向上し、厳しい省エネ基準を満たす600V IGBT
2012年10月12日– 高性能パワー半導体とモバイル向け半導体製品で世界をリードするフェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は、電力損失が低く短絡時の耐量が高いことが重要な要素となる三相モータードライブ・アプリケーションにおいて、高効率、高電力密度、高信頼性を実現し、短絡時の耐量時間を保証したIGBT製品の拡充をすると発表しました。
これらの600V IGBTは5Aから15Aまで幅広い定格電流に対応した製品を揃え、低飽和電圧VCE(sat)により電力損失の低減を実現すると同時に、厳しい省エネ基準も満たしています。更に、デバイスは短絡時耐量時間：10μs（@ VCE=350V、VGE=15V Rg=100Ω、Tj=150℃）を規定するとともに、高速スイッチング動作によりシステム効率の向上を実現します。
特長と利点：
- FGB7N60UNDFおよびFGB5N60UNDFは業界最小クラスの飽和電圧VCE(sat)規格である2.1Vを達成、導通損失の低減を実現します。
- FGP10N60UNDF/FGP15N60UNDFおよびFGPF10N60UNDF/FGPF15N60UNDFは業界最小クラスのターンオフ・エネルギー（Eoff）を特長とし、高速スイッチング動作（15kHzキャリア周波数）で電力損失の低減を実現します。
- RoHS対応
パッケージおよび価格情報（1000個 購入時）
サンプル出荷中 － 納期8-12週
- D2PAKパッケージ：
FGB7N60UNDF：0.87ドル； FGB5N60UNDF：0.92ドル - TO-220パッケージ
FGP10N60UNDF：1.03ドル； FGP15N60UNDF：1.15ドル - TO-220Fパッケージ
FGPF10N60UNDF：1.05ドル； FGPF15N60UNDF：1.20ドル
フェアチャイルドの充実したモーターコントロール・ソリューションの一部として、これら600V IGBT製品は三相モノリシックゲートドライブICのFAN7389（アクティブ・ハイ）またはFAN73892（アクティブ・ロー）と組み合わせて使用されることで、より高い性能を発揮します。このような統合的なソリューションに、広範囲の製品群を揃えるSPMRデバイス、IGBT、ゲートドライバー、PFC-PWMコンボ、MOSFET、フォトトランジスター、およびダイオードを加えることで、フェアチャイルドは電力消費に敏感なアプリケーションにおいて省エネ効果を最大限に引き出すことが必要とされる回路設計者に理想的なモーターコントロール・ソリューションを提供します。
製品の各種資料はこちらをご参照ください。
データシート：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGB7N60UNDF.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGB5N60UNDF.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGP10N60UNDF.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGP15N60UNDF.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGPF10N60UNDF.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FG/FGPF15N60UNDF.pdf