2012年8月10日 – フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は携帯電話端末およびその他携帯機器アプリケーションでバッテリー充電およびロードスイッチ機能の特性改善に取り組む設計者を支援する為、P-チャンネル PowerTrench® MOSFETの製品ファミリーを拡充すると発表しました。
MicroFET? MOSFETパッケージで提供されるFDMA910PZおよびFDME910PZTは小さな外形寸法（それぞれ2 x 2 mm & 1.6 x 1.6 mm）でありながら優れた放熱特性を備えていることが特長で、スイッチングおよびリニアモードのアプリケーションに適しています。両デバイス共に最大定格は20Vであり、低オン抵抗を実現しています。また、ESD保護用に最適化したツェナーダイオードが内蔵され、最大ゲート漏れ電流IGSSの規格は10uAから1uAに減少しています。
特長と利点
FDMA910PZ
- 最大オン抵抗：RDS(ON)_MAX = 20 mΩ @VGS = -4.5V, ID = -9.4A
- 最大オン抵抗：RDS(ON)_MAX = 24 mΩ @VGS = -2.5V, ID = -8.6A
- 最大オン抵抗：RDS(ON)_MAX = 34 mΩ @VGS = -1.8V, ID = -7.2A
- 薄型パッケージ：厚さ0.8 mm_max、2 x 2 mm MicroFETパッケージ
- HBM ESD 耐量 > 2.8KV_typ
FDME910PZT
- 最大オン抵抗：RDS(ON)_MAX = 24mΩ @VGS = -4.5V, ID = -8A
- 最大オン抵抗：RDS(ON)_MAX = 31mΩ @VGS = -2.5V, ID = -7A
- 最大オン抵抗：RDS(ON)_MAX = 45mΩ @VGS = -1.8V, ID = -6A
- 超薄型パッケージ：厚さ0.55 mm_max、1.6 x 1.6 mm MicroFETパッケージ
- HBM ESD 耐量 > 2KV_typ
FDMA910PZおよびFDME910PZT両製品ともにハロゲンおよびアンチモン・フリー、そしてRoHS対応製品でもあります。また、低電圧で安定な動作を提供できることで、携帯電話およびその他の携帯機器に最適です。
更に詳細な製品情報は以下のサイトをご覧下さい。
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMA910PZ.html
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDME910PZT.html
フェアチャイルドセミコンダクターはモバイル・テクノロジーのリーダーとして、お客様からの特殊なデザイン要求にも応えられるよう、カスタマイズ可能な多数のアナログおよびパワーIPポートフォリオを提案しています。 先進の回路技術を小型で最新のパッケージに集積する一方、デザインのコスト、サイズ、および消費電力を削減することにより、フェアチャイルドはモバイルユーザーに大きな利益をもたらします。フェアチャイルドのモバイルIPは、今日、市場に流通する大部分の携帯電話端末で採用されています。
より詳細な製品情報は下記サイトをご覧下さい：
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6708N.html
価格：
FDMA910PZ: 0.36ドル（1,000個購入時）
FDME910PZT: 0.33ドル（1,000個購入時）
入手性：
サンプル出荷中
量産納期：
8-12週間
製品の各種資料はこちらをご参照ください。
データシート
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMA910PZ.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME910PZT.pdf