フェアチャイルドセミコンダクター、 業界トップクラスの電力密度を実現し、基板スペース削減に寄与する 30V パワートレンチ® MOSFETを発表

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FSJ_FDMC8010_Apr20123.3mm x 3.3mm PQFNパッケージで66%に達する省スペース化と、
高性能シリコン技術による超低オン抵抗を実現

2012年4月26日 – 電源設計に携わるエンジニアは省エネ基準及び製品システムからの要求により電力密度を犠牲にすることなく電源回路の占有面積を縮小し、更に省エネ効果が得られるソリューションを必要としています。フェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）はこれらの要求に応える業界トップクラスの電力密度と低導通損失を実現する30V Power 33 MOSFET、FDMC8010を発表しました。

フェアチャイルドのパワートレンチ® テクノロジーを採用することで、FDMC8010は高性能DC-DCコンバータ、ポイントオブロード（POL）、高効率ロードスイッチ及びローサイドスイッチ、電圧レギュレータ・モジュール（VRM）、ORing回路等、小さなスペースで出来る限り低いオン抵抗RDS(ON)を必要とするアプリケーションに最適です。

絶縁型1/16ブリックサイズDC-DCコンバータアプリケーションにおいて、このPower 33 MOSFETは最大オン抵抗わずか1.3m?を達成し、同サイズの競合他社ソリューションと比べ25%低い値を実現することで導通損失を低減し、熱効率を最大25%改善します。

特長と利点

  • 高性能テクノロジーによる業界トップクラスのオン抵抗： RDS(ON) = 1.3 mΩ max
  • 3.3mm x 3.3mm業界標準外形PQFNパッケージを採用、省スペース化に寄与
  • 導通損失の低減により、競合他社に比べ高電力密度、高効率を達成
  • 鉛フリー、RoHS対応パッケージ

より詳細な製品情報は下記サイトをご覧下さい：
http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMC8010.html

これらパワートレンチ®の新製品は今日の電子機器に要求される電気特性及び熱特性双方を満たすことで高い省エネ効果の実現に寄与するパワートレンチ MOSFETポートフォリオの一部であり、これらの製品が加わることで、フェアチャイルドが提供する低電圧MOSFET製品は一層強化されることになります。

価格：
0.87ドル（1,000個購入時）

入手性：
サンプル出荷中

量産納期：
8-12週間

製品の各種資料はこちらをご参照ください。
データシート：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDMC8010.pdf