オートモーティブ・アプリケーションが要求する耐久性を満たし、大容量の電力変換設計を実現
2012年4月13日 – オートモーティブ・アプリケーションの中でも特にハイブリッド車（HEV）および電気自動車（EV）に携わるエンジニアは高効率、高いドライブ能力、優れたノイズ耐性を持つインバータ設計の実現という課題に取り組んでいます。高性能パワー半導体とモバイル向け半導体製品で世界をリードするフェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は、これらの課題を解決すべくハイサイド・ゲートドライバIC、FAN7171と、ハイサイド／ローサイドゲートドライバIC、FAN7190を発表しました。
オートモーティブ用高耐圧ゲートドライバIC（HVIC）ファミリの一部となるFAN7171とFAN7190はMOSFETおよびIGBT用ハイサイドゲートドライバアプリケーションを始め、電気自動車およびハイブリッド車向けDC-DCパワーサプライまたはパワーインバータ、そしてディーゼルまたはガソリン車向けインジェクタ及びバルブ駆動用に最適です。
FAN7171とFAN7190は過酷なオートモーティブ・アプリケーションにおいて高効率、大電流ドライブ能力を備えた耐久性のある統合型インバータ・ソリューションを提供します。
FAN7171は500Vまでの範囲で動作する高速MOSFETおよびIGBTをドライブすることが可能なモノリシック・ハイサイドゲートドライバです。一方、FAN7190は600Vに達する動作領域のMOSFETおよびIGBTまでドライブ可能です。高いドライブ能力は効率を改善しより大きな電力システムを可能にします。両デバイス共に出力段はNMOSトランジスタで構成され、貫通電流を抑え大きなパルス電流駆動能力を備えています。VS端子の振幅はVBS=15Vで -9.8Vまで許容されるなどノイズ耐性に優れ、厳しいノイズ環境の中でデザインの信頼性改善、耐久性向上を可能にします。
FAN7171とFAN7190はAEC Q100基準クラス1認定を取得しており、デバイスの機能性と集積度が共に高いことから、部品点数、部品コストおよび基板面積の削減、そしてデザインサイクルの短縮に寄与します。
フェアチャイルドの高耐圧プロセスと同相ノイズ除去技術はdv/dtノイズが大きい環境で安定したハイサイド・ドライブ動作を実現し、高性能のレベルシフト回路はVS端子の振幅が -9.8V（typ, @VBS = 15V）に至るまで安定したハイサイドゲートドライブ動作を提供します。また、低電圧誤動作防止（UVLO）回路はVBSが規格電圧値以下になった場合誤動作を防ぎます。
両デバイス共に8ピンSOPパッケージで提供され、RoHSにも対応しています。
フェアチャイルドのパワー半導体およびパッケージモジュールでの専門技術は、多岐にわたるテストとシミュレーション技術、そして高品質の製造技術と合わさり、最も厳しさの要求されるエンジンルームを含めたオートモーティブ環境で品質の高い製品を提供します。フェアチャイルドセミコンダクターは他のサプライヤがファンダリあるいはサードパーティの製造工場に依存しているのと異なり、自動車メーカーからの品質、信頼性、在庫量に対する要求に対応できるよう、設計から製造、組立て、テストに至るまで世界各地に自らの拠点を備えています。
価格：
FAN7171: 1.28ドル（1,000個購入時）
FAN7190: 1.50ドル（1,000個購入時）
入手性：
サンプル出荷中
量産納期：
8-12週間
製品の各種資料はこちらをご参照ください。
データシート：
http://www.fairchildsemi.com/ds/FA/FAN7171_F085.pdf
http://www.fairchildsemi.com/ds/FA/FAN7190_F085.pdf