電源回路の基板面積削減、電力密度および電力効率向上に寄与
2011年5月17日 – サーバ向け二次側同期整流回路を始め、DC-DC電源、モーター・コントロール、ロードスイッチ及びホットスワップ・アプリケーションに携わる設計者は、デザインの電力効率を上げるために導通損失およびスイッチング損失が低いMOSFETを必要としています。
高性能パワー半導体とモバイル向け半導体製品で世界をリードするフェアチャイルドセミコンダクタージャパン㈱（本社：東京都渋谷区、社長：雨宮隆久）は、この要求に応えるため、NチャネルPowerTrench® MOSFET「FDMS86500L」を発表しました。この製品は特に導通損失及びスイッチ・ノードのリンギングを低く抑え、総合的にDC-DCコンバータの効率を改善することを目的に開発されました。
先進のパッケージおよびシリコン双方のテクノロジーを組み合わせることで、FDMS86500Lは極めて低いオン抵抗（2.5mΩ @ VGS = 10V, ID=25A）を達成し、業界標準であるパワー56 パッケージ（5mm x 6mm）に実装され導通損失の低減を可能にしています。
さらに、FDMS86500Lはシールデッド・ゲートMOSFETプロセステクノロジーを採用したことにより、非常に低いスイッチング損失（Qgd 14.6 nC Typ.）を実現しています。これは、このデバイスの低導通損失と結びつき、設計者が要求する電力密度の改善に寄与します。
また、FDMS86500Lは優れた性能指数（RDS(ON) * QG）を有し、エネルギー効率に関する標準及び規定を満足する為の高効率と低電力損失を提供します。
その他、この製品の特徴として、ソフト・リカバリーを目的とした次世代技術のボディ・ダイオード・テクノロジーの採用、耐湿性レベル1（MSL1）のパッケージデザイン、UILテスト100%実施、そしてRoHS対応等があります。
FDMS86500Lはフェアチャイルドの新しい60V MOSFETポートフォリオで最初の製品になります。これら新規の60V製品が加わることで、フェアチャイルドの中電圧パワーMOSFET製品群をさらに強力なものにします。フェアチャイルドは業界でもっとも幅広いMOSFET製品群を持ち、設計者がアプリケーションに最適なMOSFETを多様なテクノロジーの中から選択することを可能にしています。フェアチャイルドは、お客様とその市場だけに限らず、スペース上の制約から大電流DC-DC電源を小さな面積で実現させる要求をも理解し、機能、プロセス、パッケージそれぞれの新技術をユニークに組み合わせ、回路設計での差別化をもたらすソリューションに展開することが可能です。
価格：
0.90ドル（1,000個購入時）
入手性：
サンプル出荷中
量産納期：
8-10週間